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ZXMN4A06K
40V N-channel enhancement mode MOSFET
Summary
V (BR)DSS = -40V; R DS(ON) = 0.05 ; I D = 10.9A
Description
This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique
structure that combines the benefits of low on-resistance with fast
switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage,
power management applications.
Features
D
?
?
Low on-resistance
Fast switching speed
?
?
?
Low threshold
Low gate drive
DPAK package
G
S
Applications
?
?
?
?
DC - DC converters
Audio output stages
Relay and solenoid driving
Motor control
Ordering information
Device
ZXMN4A06KTC
Reel size
(inches)
13
Tape width
(mm)
16
Quantity
per reel
2,500
Device marking
ZXMN
4A06
Pinout - Top view
Issue 1 - March 2006
? Zetex Semiconductors plc 2005
1
www.zetex.com
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